美国印度将合建半导体厂 聚焦军事领域与技术自主
美国白宫于9月23日宣布，将与印度携手建设一座半导体工厂，此消息在印度总理莫迪访美期间与美国总统拜登会晤后公布。双方视此合作为里程碑式进展，并承诺深化半导体技术等领域的合作研究。这座工厂专注于生产用于红外线发射的半导体产品及适用于军事电子设备的先进材料，如氮化镓和碳化硅，这些材料目前应用范围虽有限，但潜力巨大。项目获得印度半导体计划的背书，也是印美间战略技术合作的体现，涉及印度初创企业Bharat Semi、图像传感器公司3rdiTech及美国太空部队。
值得注意的是，这将是美国军方首次在印度设立此类工厂，专为军事领域的半导体设备需求服务。印度年轻的芯片工程师队伍有望显著降低美国军方相关产品的制造成本，而美国的技术转移也使印度加入到少数能制造这类高端产品的国家行列中。
莫迪政府计划从2023年开始，提供最高达100亿美元的补贴预算，以吸引对印度半导体产业的投资，补贴比例可达项目总投资的50%至70%。莫迪还规划在古吉拉特邦打造“半导体之城”，旨在吸引全球芯片制造商。印度塔塔集团正着手建立一个高标准的晶圆厂，目标占据全球半导体晶圆市场10%的份额。
尽管莫迪力推“半导体自给自足”，印度面临半导体行业专业人才短缺的挑战，需高薪引进国外专家并加速本土工程师的成长。分析指出，印度制造业的国际竞争力普遍不足，半导体产业的机会在于迎合美国供应链“友岸外包”的需求，但这一策略本身难以构建持久的国际竞争力。
彭博社社论质疑，印度政府的补贴政策似乎偏好莫迪家乡古吉拉特邦，该地区在半导体制造的关键条件上并无突出优势，这种非市场化补贴恐不利于产业健康发展。评论警告，不切实际的宏大计划可能导致巨额补贴效率低下。对莫迪而言，更重要的是依托印度蓬勃发展的电子产品组装业，逐步向上游产业链延伸，吸引高价值的制造企业落户印度，利用本国市场和资源推动产业升级。
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